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EPC
EPC2110ENGRT Image

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EPC2110ENGRT

Hersteller-Teilenummer: EPC2110ENGRT
Hersteller / Marke: EPC
Teil der Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Datenblätte: EPC2110ENGRT.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant
Lagerzustand: 2698 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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  • ArtikelnummerEPC2110ENGRT
  • HerstellerEPC
  • BeschreibungTRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
  • KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays
  • Teilstatus2698 pcs Stock
  • VGS (th) (Max) @ Id2.5V @ 700µA
  • Supplier Device-GehäuseDie
  • SerieeGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 4A, 5V
  • Leistung - max-
  • VerpackungTape & Reel (TR)
  • Verpackung / GehäuseDie
  • Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
  • BefestigungsartSurface Mount
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 60V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 5V
  • Typ FET2 N-Channel (Dual) Common Source
  • FET-MerkmalGaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)120V
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C3.4A
  • EPC2110ENGRT Einzelheiten PDF [English]EPC2110ENGRT PDF - EN.pdf
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0,00 kg-1,00 kg 60,00 USD
1,00 kg-2,00 kg 70,00 USD
2,00 kg bis 3,00 kg 80,00 USD

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