Samsungs erste 8-Zoll-GaN-Wafer-Produktionslinie soll bereits im zweiten Quartal mit der Massenproduktion beginnen

Einem Bericht des südkoreanischen Medienunternehmens The Elec zufolge soll Samsungs erste 8-Zoll-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Produktionslinie bereits im zweiten Quartal 2026 mit der Massenproduktion beginnen, wobei der anfängliche Umsatz voraussichtlich unter 100 Milliarden Won bleiben wird.

Der Bericht stellt fest, dass Samsung ein umfassendes GaN-Lösungsökosystem aufgebaut hat, das alles außer dem Chip-Design abdeckt und über die Fähigkeit verfügt, GaN-Epitaxiewafer unabhängig herzustellen.

Darüber hinaus plant Samsung, noch in diesem Jahr den Betrieb seiner Gießereilinie für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) aufzunehmen.Das Unternehmen verfügt über umfassende Kompetenzen im SiC-Segment, einschließlich Design, das die GaN-Technologie über verschiedene Spannungsbereiche hinweg ergänzen kann.

Frühere Berichte zeigten außerdem, dass Samsung etwa 100 bis 200 Milliarden Won in fortschrittliche Prozessausrüstung, einschließlich der MOCVD-Systeme von Aixtron, investiert hat, um die Verarbeitung von Silizium-Gallium- und Galliumnitrid-Wafern zu unterstützen.