HBM Technology Outlook: Top-drei Speicherhersteller konkurrieren am Markt mit hohem Bandbreitengedächtnis

Die HBM-Technologie (High-Bandwidth Memory), die als Sprungbrett im Übergang zum "In-Memory Computing/Processing" -Ara gilt, hat von den drei führenden Speicherherstellern erhebliche Aufmerksamkeit auf sich gezogen: Samsung, SK Hynix und Micron.Diese Branchengiganten konkurrieren heftig mit der Entwicklung der HBM-Technologie und konzentrieren sich auf Thry-Silicon über (TSV) -Prozessintegration und 3D-HBM-DRAM-Chip-Stapelung.

Laut einem TechInsights-Bericht ist HBM ein 3D-Stapel-DRAM-Gerät, das hohe Bandbreite und breite Kanäle bietet, was es ideal für Anwendungen macht, die hohe Leistung, Energieeffizienz, große Kapazität und geringe Latenz erfordern.Diese Anwendungen umfassen Hochleistungs-Computing (HPC), Hochleistungs-GPUs, künstliche Intelligenz und Rechenzentren.TechInsights prognostiziert voraus, dass bevorstehende HBM4-Geräte (2025-2026) und HBM4E-Geräte (2027-2028) Kapazitäten von 48 GB bis 64 GB mit 16-Hoch-Stapeln und Bandbreiten von 1,6 TB/s oder höher verfügen.

Die HBM -Technologie hat eine schnelle Entwicklung in der Bandbreite verzeichnet, die von rund 1 Gbit / s in HBM -Gen1- und 2 Gbit / s in HBM -Gen2 auf 3,6 Gbit / s in HBM2E, 6,4 Gbit / s in HBM3 und 9,6 Gbit / s in HBM3E zugenommen hat.Für Gen1- und Gen2 HBM-Geräte verwendete SK Hynix die TC-NCF-Methode für die HBM-DRAM-Chip-Stapelung.Für Gen3 und Gen4 wechselten sie zum MR-MUF-Prozess.SK Hynix hat diese Technologien weiter optimiert und entwickelt nun einen fortschrittlichen MR-MUF-Prozess für Gen5, um das thermische Management zu verbessern.TechInsights rechnet damit, dass die bevorstehenden Gen6 HBM4 -Geräte diesen Prozess mit aufstrebenden Hybridbindungstechniken kombinieren könnten.

Um die Herausforderungen der thermischen Dissipation zu bewältigen, verwenden HBM-Geräte TC-NCF- und MR-MUF-Lösungen.Die TC-NCF-Methode umfasst das Auftragen von Dünnfilmmaterial nach jedem Chipstapel, während die MR-MUF-Methode alle vertikal gestapelten Chips durch einen einzelnen Heiz- und Bindungsverfahren verbindet.Bei HBM-Lösungen mit höherem Stapel wie HBM4E, HBM5 und darüber hinaus schlägt TechInsights vor, dass neue Ansätze wie Hybridbindung erforderlich sind, um diese Herausforderungen effektiv zu bewältigen.