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Durchbruch! Kioxia entwickelte 170-lagige NAND-Flash-Speicherprodukte

Der japanische Chiphersteller Kioxia hat rund 170 Schichten NAND-Flash-Speicher entwickelt und diese Spitzentechnologie zusammen mit Micron und SK Hynix erhalten.


Der Nikkei Asian Review berichtete, dass dieser neue NAND-Speicher gemeinsam mit Western Digital, einem US-amerikanischen Partner, entwickelt wurde und seine Datenschreibgeschwindigkeit mehr als doppelt so hoch ist wie die des aktuellen Top-Produkts von Kioxia (112 Schichten).

Darüber hinaus hat Kioxia erfolgreich mehr Speicherzellen auf jeder Schicht des neuen NAND installiert, was bedeutet, dass der Chip im Vergleich zum Speicher mit derselben Kapazität um mehr als 30% verkleinert werden kann. Kleinere Chips ermöglichen eine größere Flexibilität beim Aufbau von Smartphones, Servern und anderen Produkten.

Es wird berichtet, dass Kioxia plant, sein neues NAND auf der laufenden internationalen Festkörper-Schaltungskonferenz auf den Markt zu bringen, und voraussichtlich bereits im nächsten Jahr mit der Massenproduktion beginnen wird.

Mit dem Aufstieg der 5G-Technologie und einer größeren und schnelleren Datenübertragung hofft Kioxia, die Nachfrage nach Rechenzentren und Smartphones zu befriedigen. Der Wettbewerb in diesem Bereich hat sich jedoch verschärft. Micron und SK Hynix haben vor Kioxia 176-lagiges NAND angekündigt.

Um die Leistung des Flash-Speichers zu steigern, planen Kioxia und Western Digital im Frühjahr den Bau einer Fabrik in Höhe von 1 Billion Yen (9,45 Milliarden US-Dollar) in Yokkaichi, Japan. Ihr Ziel ist es, die ersten Produktionslinien im Jahr 2022 zu eröffnen. Darüber hinaus hat Kioxia neben dem japanischen Kitakami-Werk viele Fabriken erworben, um die Produktionskapazität bei Bedarf in Zukunft erweitern zu können.